Curso "Propiedades electrónicas de semiconductores por modelado computacional ab-initio"

Mayo 7, 8, 9 y 11, 2018

Coordinadora:
Dra. Margarita Miranda Hernández

Expositor:
Dr. Raciel Jaimes López

Horario:
De 9:00 a 18:00 hrs.


Objetivo:
Aplicar de manera práctica las metodologías utilizadas actualmente para estimar banda prohibida, estados trampa, defectos superficiales, absorción de radiación sensibilizada por colorantes, en semiconductores representativos (el TiO2 y el silicio) empleando un código de uso libre (Quantum Espresso), adquiriendo las bases para modelar por su cuenta, materiales de interés propio.

Dirigido a:
Profesionales, Investigadores, Académicos y Estudiantes que deseen obtener una visión global de las posibilidades y limitaciones de los procedimientos de modelado computacional a primeros principios, en sólidos y superficies semiconductoras cristalinas

Requisitos:
Los participantes deberán asistir con una laptop, de preferencia con sistema operativo Linux.

Temario:

  1. Introducción
    1. Características de los semiconductores
    2. Introducción a los sólidos cristalinos
    3. Introducción a la teoría de funcionales de la densidad
  2. Aplicación de los códigos computacionales a la resolución de la estructura electrónica
    1. Códigos de resolución de estructura electrónica
    2. Instalación de paquetería
    3. Modelado del seno (bulto) del silicio
    4. Estructura de bandas y densidad de estados del silicio
    5. Modelado del seno del TiO2 (fase anatasa o rutilo)
    6. Estructura de bandas y densidad de estados TiO2
    7. Defectos cristalinos y estados trampa en el silicio
    8. Defectos cristalinos y estados trampa en el TiO2
    9. Modelado de una superficie de silicio
    10. Modelado de una cara y fase cristalina del TiO2
    11. Modelado periódico de una especie química en fase gas
    12. Energía de adsorción de una especie química en silicio
    13. Energía de adsorción de una especie química en una cara y fase cristalina del TiO2
    14. Densidad de estados y alineación del nivel de Fermi con estados HOMO-LUMO de moléculas adsorbidas en la superficie del silicio
    15. Densidad de estados y alineación del nivel de Fermi con estados HOMO-LUMO de moléculas adsorbidas en la superficie del TiO2

    Cuotas de inscripción:

    Profesionistas:$2,300.00
    Académicos*: $1,800.00
    Estudiantes*: $1,000.00
    Estudiantes del IER*: $500.00

    * Acreditados con credencial.
    Fecha limite de inscripción:25 de abril de 2018

    Hoteles:

    (Llamar directamente)

    * Holiday Inn Express
    Av. Morelos Sur No. 133, Col. Las Palmas, Cuernavaca, Morelos.
    Tel: 01 777- 310 5333
    01 – 800 – 000 4000

    * Holiday Inn
    Blvd. Díaz Ordaz No. 86, Col. Acapanzingo, Cuernavaca, Morelos.
    Tel: 01-777- 362 0203
    01-800 – 009 99 00

    * Hotel Príncipe.
    Av. Emiliano Zapata No. 23, Temixco, Morelos.
    Tel 01 ( 777 ) 325-0304

    * Hotel Parador de Manolos.
    Hidalgo 30, Temixco Mor.
    Tel: 01 ( 777 ) 325-0480,
    Fax: 01 ( 777 ) 325-0841

    * Hotel Parador del Rey
    Fortalecimiento No. 10, Col. Las Animas, Temixco, Mor.
    Tel. 326-41-50, fax 326-41-49

    Informes:
    e-mail:  uec@ier.unam.mx
    Tel: +52 (777) 362-0090 ext. 29824
    Tel. directo: +52 (55) 5622-9824

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